參數(shù)資料
型號: IRFI9610G
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大?。?/td> 170K
代理商: IRFI9610G
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TO-220 Full-Pak
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI9640 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9640G Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9Z24G HEXFET POWER MOSFET
IRFI9Z24N HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFI9610GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9620G 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9620GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube