參數(shù)資料
型號: IRFI634
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: 250V N-Channel MOSFET
中文描述: 250V N溝道MOSFET
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 649K
代理商: IRFI634
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
0.05
0.50
+0.10
0.05
I
2
-PAK
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI634B 250V N-Channel MOSFET
IRFW720S N-Channel Power MOSFET(400V,1.8Ω,3.3A)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓400V,導(dǎo)通電阻1.8Ω,漏電流3.3A))
IRFW740S 400V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
IRFWI530A Advanced Power MOSFET
IRFWZ14 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFI634BTU_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI634G 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI634GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube