參數資料
型號： IRFI630B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁數： 8/9頁
文件大?。?/td> 648K
代理商： IRFI630B
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. C, December 2002
I
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
–
0.05
0.50
+0.10
–
0.05
I
2
-PAK
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料
PDF描述
IRFW634B 250V N-Channel MOSFET
IRFI634 250V N-Channel MOSFET
IRFI634B 250V N-Channel MOSFET
IRFW720S N-Channel Power MOSFET（400V，1.8Ω，3.3A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻1.8Ω，漏電流3.3A）)
IRFW740S 400V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFI630BTLTU_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI630BTU 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFI630BTU_FP001 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI630G 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI630GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*