參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI5210
廠商： International Rectifier
英文描述： -100V,-23A,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-100V,-23A,P溝道HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： - 100V的，- 23A條，P通道HEXFET功率MOSFET（- 100V的，- 23A條，P溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 143K
代理商： IRFI5210
IRFI5210
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
SD
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
*
V
GS
*
**
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRFI740 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A)
IRFI740G Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFI530ATU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI530G 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI530GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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