參數(shù)資料
型號： IRFI3205
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRFI3205
IRFI3205
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
30
60
90
120
150
180
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 59A
V = 44V
V = 28V
V = 11V
10
100
1000
0.6
1.0
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
T = 25°C
V = 0V
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI360 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=25A)
IRFI3710 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFI460 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=21A)
IRFI5210 -100V,-23A,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-100V,-23A,P溝道HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFI3415 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220AB
IRFI360 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 25A 3PIN TO-259AA - Bulk
IRFI360D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259VAR
IRFI360U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259VAR
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