參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI1010
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.012ohm，身份證\u003d 49A條）
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大小： 109K
代理商： IRFI1010
IRFI1010N
PART NUMBER
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W)
YY = YEAR
W W = W EEK
WW = WEEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
A
Part Marking Information
TO-220 Fullpak
Package Outline
TO-220 Fullpak Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
L EA D AS SIGN MENTS
1 - GA TE
2 - DRAIN
3 - SO URCE
NO TES :
1 DIME NSION ING & TO LER ANCING
2 CO NTROLL ING DIMEN SION: INCH.
D
C
A
B
MINIMUM CRE EP AG E
DISTA NCE B ETW E EN
A -B -C-D = 4.80 (.189 )
3X
2.85 (.1 12)
2.65 (.1 04)
2.80 (.110)
2.60 (.102)
4.80 (.189 )
4.60 (.181 )
7.10 (.280 )
6.70 (.263 )
3 .40 (.1 33)
3 .10 (.1 23)
- A -
3.7 0 (.145)
3.2 0 (.126)
1.15 (.045)
MIN.
3.30 (.130)
3.10 (.122)
- B -
0.90 (.035 )
0.70 (.028 )
3X
0.25 (.010)
M
A M B
2 .5 4 (.100)
2X
3X
13 .7 0 (.540)
13 .5 0 (.530)
16 .0 0 (.630)
15 .8 0 (.622)
1 2 3
10.60 (.417 )
10.40 (.409 )
1.40 (.05 5)
1.05 (.04 2)
0.48 (.019 )
0.44 (.017 )
(YYWW )
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
8/97
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI1310G Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A)
IRFI1310N N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFI3205 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFI360 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=25A)
IRFI3710 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFI1010G 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
IRFI1010N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK
IRFI1010NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI1310G 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A)
IRFI1310N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*