參數(shù)資料
型號(hào): IRFH7921TRPBF
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
產(chǎn)品目錄繪圖: IR Hexfet PQFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 15A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫歐 @ 15A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.35V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1210pF @ 15V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PQFN(5x6)單芯片焊盤
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: IRFH7921TRPBFDKR