參數(shù)資料
型號(hào)： IRFE230
英文描述： N-Channel Power MOSFET(Vdss:200V,Id(cont):4.8A,Rds(on):0.46Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:200V,Id(cont):4.8A,Rds(on):0.46Ω))
中文描述： N溝道功率MOSFET（減振鋼板基本：200伏，身份證（續(xù)）：4.8A時(shí)，RDS（上）：0.46Ω）（不適用馬鞍山溝道功率場效應(yīng)管（減振鋼板基本：200伏，身份證（續(xù)）：4.8A時(shí)，RDS（對(duì)）：0.46Ω））
文件頁數(shù)： 1/2頁
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代理商： IRFE230
IRFE230
10/98
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
2
Peak Diode Recovery
3
Operating and Storage Temperature Range
Surface Temperature ( for 5 sec).
(V
GS
= 10V , T
case
= 25°C)
(V
GS
= 10V , T
case
= 100°C)
E
AS
dv/dt
T
J
, T
stg
±20V
4.8A
3.1A
19A
22W
0.17W/°C
54mJ
4.5V/ns
-55 to +150°C
300°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
N–CHANNEL
POWER MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
FEATURES
SURFACE MOUNT
SMALL FOOTPRINT
HERMETICALLY SEALED
DYNAMIC dv/dt RATING
AVALANCHE ENERGY RATING
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHT WEIGHT
LCC4
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s,
δ ≤
2%
2) @ V
DD
= 50V , L
≥
570
μ
H , R
G
= 25
, Peak I
L
= 14A , Starting T
J
= 25°C
3) @ I
SD
≤
14A , di/dt
≤
140A/
μ
s , V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
≤
150°C , Suggested R
G
= 7.5
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
200V
4.8A
0.46
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
15 16
13
12
14
3
4
5
6
7
17
18
1
2
11
10
8
9
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
≈
2.16 (0.085)
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
0.43 (0.017)
Rad.
Rad.
MOSFET
GATE
DRAIN
SOURCE
TRANSISTOR
BASE
COLLECTOR
EMITTER
PINS
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFE230 N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFE320 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | LLCC
IRFE330 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | LLCC
IRFE9110 P-Channel Power MOSFET(Vdss:-100V,Id(cont):-2.2A,Vdgr:-1.2V)(P溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:-200V,Id(cont):-11A,Vdgr:-200V))
IRFE9110 P-CHANNEL POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFE310 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 1.25A 18PIN LCC - Bulk
IRFE320 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 1.8A 18PIN LCC - Bulk
IRFE330 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 3A 18PIN LCC - Bulk
IRFE420 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 1.4A 18PIN LCC - Bulk
IRFE430 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 18-Pin LLCC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 2.5A 18PIN LCC - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 500V, 2.5A, LCC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: No
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