參數(shù)資料
型號(hào): IRFDC20
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds(on)\u003d 4.4ohm,身份證\u003d 0.32A)
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大小: 464K
代理商: IRFDC20
IRFDC20
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFE210 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFE024 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFE024SCV 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 6.7A 18PIN LCC - Bulk
IRFE024SCX 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 6.7A 18LLCC - Bulk
IRFE110 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 18-Pin LLCC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 3.5A 18PIN LCC - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 3.5A, LCC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: No