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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFD220 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=0.80A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.80ohm，身份證\u003d 0.80A） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | IRFD220 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFD220 Rev. B
FIGURE 11. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 12. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 13. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
2
4
6
8
1
2
3
4
5
10
0
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0.1
1
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
10
1
3
2
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
8
12
20
5
15
20
I
D
= 0.8A
10
0
4
16
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
IRFD220
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFF420 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFI610B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFW610B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFI614B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFW614B | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFD220119 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRFD220PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD220R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD221 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250AA |
| IRFD221R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250AA |
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