參數(shù)資料
型號： IRFD220
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
中文描述： 800 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： HEXDIP-4
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： IRFD220
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFD220 Rev. B
FIGURE 16. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
G(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
IRFD220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFD220 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=0.80A)
IRFF420 N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFI610B 200V N-Channel MOSFET
IRFW610B 200V N-Channel MOSFET
IRFI614B 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD220119 制造商:Harris Corporation 功能描述:
IRFD220PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD220R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR
IRFD221 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250AA
IRFD221R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250AA
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