參數(shù)資料
型號: IRFBC20STRR
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直| 2.2AI(四)|對263AB
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大小: 391K
代理商: IRFBC20STRR
IRFBC20S/L
Package Outline
TO-262 Outline
TO-262
Part Marking Information
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBC30AL 600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
IRFBC30ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA
IRFBC30ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA
IRFBC30STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB
IRFBC30STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBC30 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30AL 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30ALPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube