參數(shù)資料
型號： IRFBA90N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=98A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.023ohm，身份證\u003d第98A）
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代理商： IRFBA90N20D
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1
09/06/01
IRFBA90N20D
HEXFET
Power MOSFET
SMPS MOSFET
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.023
I
D
98A
PD - 94300
Parameter
Max.
98
71
390
650
4.3
± 30
6.3
Units
I
D
@ T
C
= 25
°
C
I
D
@ T
C
= 100
°
C
I
DM
P
D
@T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Recommended Clip Force
A
W
W/
°
C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
20
°
C
N
Absolute Maximum Ratings
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Super
-
220
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.23
–––
58
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°
C/W
相關PDF資料
PDF描述
IRFBC20L Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC30A Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A)
IRFBC30S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFBC20L 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC20LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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