參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB52N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時(shí)，RDS（on）的最大值\u003d 0.032ohm，身份證\u003d 50A條）
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： IRFB52N15D
IRFB/IRFS/IRFSL52N15D
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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PDF描述
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IRFU120 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IRFB5615PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB5615PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET CLASS D 150V TO220AB
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IRFB5620PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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