參數(shù)資料
型號： IRF9Z14L
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-262
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 6.7AI（四）|至262
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代理商： IRF9Z14L
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PDF描述
IRF9Z14STRL TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-263AB
IRF9Z14STRR TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-263AB
IRF9Z25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.9A I(D) | TO-220AB
IRF9Z30 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB
IRF9Z32 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9Z14LPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z14PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z14S 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z14SPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z14STRL 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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