參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9540NSTRL
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.117ohm，身份證\u003d- 23A條）
文件頁數(shù)： 3/7頁
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代理商： IRF9540NSTRL
4-17
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Continuous Source to Drain Current
I
SD
I
SDM
Modified MOSFET Symbol
Showing the Integral Re-
verse
P-N Junction Diode
-
-
-19
A
Pulse Source to Drain Current
(Note 3)
-
-
-76
A
Source to Drain Diode Voltage (Note 2)
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C, I
SD
= -19A, V
GS
= 0V (Figure 13)
T
J
= 150
o
C, I
SD
= 19A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
T
J
= 150
o
C, I
SD
= 19A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
-
-
-1.5
V
Reverse Recovery Time
-
170
-
ns
Reverse Recovery Charge
-
0.8
-
μ
C
NOTES:
2. Pulse test: pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
3. Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance curve (Figure 3).
4. V
DD
= 25V, starting T
J
= 25
o
C, L = 4mH, R
G
= 25
, peak I
AS
= 19A. (Figures 15, 16).
G
D
S
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
25
50
75
100
125
150
175
0
P
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-5
0
25
75
125
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-15
175
-10
-20
-20
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
o
C
10
-3
10
-2
1
10
-5
10
-4
0.01
0.1
SINGLE PULSE
0.1
0.02
0.01
0.2
0.5
0.05
P
DM
10
10
-1
1
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x R
θ
JC
+ T
C
t
1
t
2
IRF9540, RF1S9540SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9540 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NS Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9610S CAP 3.9PF 50V +/-0.1PF C0G SMD-0402 TR-7-PA SN100 HIGH-FREQ
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參數(shù)描述
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IRF9540PBF 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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