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IRFAC40R	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 6.2A I(D) \| TO-204AA
IRFAC42R	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 5.4A I(D) \| TO-204AA
IRFF312R	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 1.15A I(D) \| TO-205AF
IRFF320R	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF322R	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-205AF

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IRF8513PBF	功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8513TRPBF	功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8707GPBF	功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8707GTRPBF	功能描述:MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8707PBF	功能描述:MOSFET 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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IRF8513PBF

功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRF8513TRPBF

功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRF8707GPBF

功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRF8707GTRPBF

功能描述:MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRF8707PBF

功能描述:MOSFET 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號：	IRF843R
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 450V五（巴西）直\| 7A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)：	1/1頁
文件大小：	46K
代理商：	IRF843R

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