- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄261246 > IRF832-003 4 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF832-003 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 4 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | IRF832-003 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF832-001 | 4 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF841-012PBF | 8 A, 450 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF841-001PBF | 8 A, 450 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF841-010 | 8 A, 450 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF841-001 | 8 A, 450 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF8327STR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8327STRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF832FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF832R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF833 | 制造商:n/a 功能描述:IRF833 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。