型號(hào): | IRF831R |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五(巴西)直| 4.5AI(四)| TO - 220AB現(xiàn)有 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 46K |
代理商: | IRF831R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF832R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
IRF833R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
IRF840R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
IRF841R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
IRF842R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF832 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
IRF8327STR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF8327STRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF832FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
IRF832R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |