參數(shù)資料
型號： IRF830
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TMOS Power FET N-Channel Enhancement Mode(TMOS N-溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)管)
中文描述： 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 62K
代理商： IRF830
IRF830
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
1 2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
TO–220AB
CASE 221A–09
ISSUE Z
STYLE 5:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF8910 HEXFET Power MOSFET
IRF8915 HEXFETPower MOSFET
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IRF9520 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET(6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRF830_R4943 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8301MTRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:30V DIRECTFET POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSF N CH 30V 34A DIRECTFET MT 制造商:International Rectifier 功能描述:N-Ch 30V 1.3mOhm Ultra-Low RDSon
IRF8302MTR1PBF 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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