參數(shù)資料
型號(hào)： IRF822
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
中文描述： N通道增強(qiáng)型功率MOSTRANSISTORS
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： IRF822
IRF820AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
1.1A
1.6A
2.5A
TOP
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IAV , Avalanche Current ( A)
550
600
650
700
VD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF822FI N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF82FI N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF830ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
IRF830ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
IRF830FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF822FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF822R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF823 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF823R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF8252PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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