| 型號： | IRF7807VD2TRPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 二極管（隔離式） |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫歐 @ 7A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SO |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | IRF7807VD2PBFDKR |