參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7807D2
廠商： International Rectifier
英文描述： MOSFET / SCHOTTKY DIODE
中文描述： MOSFET的/肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 165K
代理商： IRF7807D2
IRF7807D1
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
(
HEXFET
MOSFET
)
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 9.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
0
20
I , Drain Current (A)
40
60
80
0.016
0.018
0.020
0.022
0.024
R
D
VGS = 10V
VGS = 4.5V
Fig 10.
On-Resistance Vs. Drain Current
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
RD
)
ID = 7.0A
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