參數(shù)資料
型號: IRF7701GTRPBF
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 1/9頁
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描述: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
產(chǎn)品變化通告: Product Discontinuation 08/Jul/2011
產(chǎn)品目錄繪圖: IR Hexfet 8-TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 10A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5050pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-TSSOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: IRF7701GTRPBFDKR