參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7526D1
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 120K
代理商： IRF7526D1
IRF7526D1
www.irf.com
5
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 9.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
R
D
(
)
Fig 11.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
R
D
(
)
0.0
0.5
1.0
1.5
0
1
2
3
4
A
VGS = -10V
VGS = -4.5V
-I , Drain Current (A)
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
3
6
9
12
15
A
I = -2.0A
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
Power Mosfet Characteristics
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PDF描述
IRF7805ZPbF HEXFET POWER MOSFET
IRF7805 Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7805A Chip-Set for DC-DC Converters
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IRF7807VD1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:SP06; Number of Contacts:5; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
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參數(shù)描述
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IRF7526D1TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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