參數(shù)資料
型號： IRF7509PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： IRF7509PBF
www.irf.com
3
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
3.0V
VGS
D
I
0.1
1
10
100
0.1
1
10
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
3.0V
VGS
0.1
1
10
100
3.0
3.5
V , Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T = 25°C
T = 150°C
D
I
A
V = 10V
20μs PULSE WIDTH
Fig 4.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
Fig 5.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
R
D
(
V = 10V
A
I = 1.7A
Fig 6.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
0
2
4
6
8
10
0.060
0.100
0.140
0.180
0.220
R
I , Drain Current (A)
D
VGS = 10V
VGS = 4.5V
3.-
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PDF描述
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