參數(shù)資料
型號： IRF7490PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 160K
代理商： IRF7490PBF
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 20 mW/°C
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Parameter
Max.
100
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20
5.4
4.3
43
2.5
1.6
A
W
-55 to + 150
°C
300 (1.6mm from case )
www.irf.com
1
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
IRF7490PbF
HEXFET Power MOSFET
Notes
through are on page 9
Absolute Maximum Ratings
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
39m @V
GS
=10V
Q
g
37nC
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
相關PDF資料
PDF描述
IRF7490 LED RED HLMP-6000-012 SMT
IRF7491 HEXFET Power MOSFET
IRF7492PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7492 HEXFET Power MOSFET
IRF7493 HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7490TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7490TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 5.4A 39mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7491 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8
IRF7491PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8
IRF7492 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*