參數(shù)資料
型號： IRF7453
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 250V，身份證\u003d 2.2a在）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 220K
代理商： IRF7453
IRF7453
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
1.8
–––
–––
25
–––
6.0
–––
11
–––
9.0
–––
2.5
–––
19
–––
20
–––
930
–––
130
–––
23
–––
1050
–––
52
–––
96
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 1.3A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
38 I
D
= 1.3A
9.0
nC
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
–––
–––
S
V
DS
= 200V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 125V
I
D
= 1.3A
R
G
= 6.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 200V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 200V
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
200
2.2
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 1.3A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.3A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
98
340
1.3
150
510
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.3
17
A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.33 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
250
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.23
5.5
25
250
100
-100
V
V
GS
= 10V, I
D
= 1.3A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 24V
V
GS
= -24V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7455PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7455 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A)
IRF7456 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
IRF7457 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
IRF7458 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7453TR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF7455HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC - Rail/Tube
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