參數(shù)資料
型號： IRF7452QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： IRF7452QPBF
IRF7452QPbF
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.11 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
3.4
–––
–––
33
–––
7.3
–––
16
–––
9.5
–––
11
–––
16
–––
13
–––
930
–––
300
–––
84
–––
1370 –––
–––
170
–––
280
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 2.7A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
50 I
D
= 2.7A
11
nC
24
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
S
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 50V
I
D
= 2.7A
R
G
= 6.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
200
4.5
0.25
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.7A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 2.7A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
77
270
1.3
120
410
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.3
36
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
––– 0.060
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 2.7A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 24V
V
GS
= -24V
5.5
25
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
Max.
50
Units
°C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
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