參數(shù)資料
型號： IRF743FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五（巴西）直| 4.5AI（四）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 149K
代理商： IRF743FI
IRF7343
Fig 16.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 19.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 17.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 18.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
P-Channel
0
2
4
6
8
10
12
0.080
0.120
0.160
0.200
0.240
R
-ID
D
VGS = -4.5V
VGS = -10V
)
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
TJ
R
(
D
V
=
I =
GS
-10V
-3.4 A
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
-1.5A
-2.7A
-3.4A
TOP
BOTTOM
R
D
0.05
0.15
0.25
0.35
0.45
2
5
8
11
14
A
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = -3.4 A
相關PDF資料
PDF描述
IRF7475 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 11A I(D) | SO
IRF740AL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252
IRF740AS TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262
IRF740CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | CHIP
IRF740D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF744PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7450 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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