參數(shù)資料
型號(hào)： IRF740LCPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET-R POWER MOSFET
中文描述： 的HEXFET - R的功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
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代理商： IRF740LCPBF
www.irf.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF740PBF HEXFET POWER MOSFET
IRF740 N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF740 10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF740APBF SMPS MOSFET
IRF740 N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF740LCS 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740LCSPBF 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF740LCSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF740LCSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF740LPBF 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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