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參數(shù)資料
| 型號： | IRF740AL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 10A條（?。﹟至252 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | IRF740AL |
IRF7343
Fig 16.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 19.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 17.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 18.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
P-Channel
0
2
4
6
8
10
12
0.080
0.120
0.160
0.200
0.240
R
-ID
D
VGS = -4.5V
VGS = -10V
)
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
TJ
R
(
D
V
=
I =
GS
-10V
-3.4 A
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
-1.5A
-2.7A
-3.4A
TOP
BOTTOM
R
D
0.05
0.15
0.25
0.35
0.45
2
5
8
11
14
A
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = -3.4 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRF740APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF740AS | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF740ASPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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