參數(shù)資料
型號： IRF7350PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： IRF7350PBF
IRF7350PbF
10
www.irf.com
Fig 26.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 25.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 28.
Maximum Safe Operating Area
Fig 27.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
5
10
15
20
25
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I
=
D
-1.5A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
-S
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
-D
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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