參數(shù)資料
型號： IRF7324D1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩MOSFET / Schottky Diode
中文描述： FETKY⑩MOSFET的/肖特基二極管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： IRF7324D1PBF
IRF7324D1PbF
2
www.irf.com
MOSFET Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
-20
–––
–––
-0.70
–––
–––
–––
–––
2.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.155 0.270
0.260 0.400
–––
–––
–––
-1.0
–––
-25
–––
100
–––
-100
–––
–––
5.2
7.8
0.88
–––
2.5
–––
10
–––
12
–––
11
–––
7.6
–––
260
–––
140
–––
70
–––
V
V
GS(th)
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
I
SM
Pulsed Source Current
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
Schottky Diode Maximum Ratings
Parameter
I
F(av)
Max. Average Forward current
nA
gfs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
S
nC
ns
pF
Min.
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
-2.2
–––
-22
–––
-1.2
26
39
24
36
V
ns
nC
Max. Units
1.7
1.2
120
11
50% Duty Cycle Rectangular Wave, T
A
= 25°C
A
T
A
= 70°C
I
SM
Max.Peak one cycle Non-repetitive
Surge Current
5μs sine or 3μs Rect. Pulse
Following any rated
10ms sine or 6ms Rect. Pulse
load condition &
with VRRM applied
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Max. Units
0.50
0.62
0.39
0.57
0.05
10
92
3600
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
V
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Ct
dV/dt
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
pF
V/μs Rated V
R
V
GS
= 12V
V
DS
= -16V, I
D
= -2.2A
I
D
= -2.2A
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -16V
V
DD
= -10V, V
GS
= -4.5V
I
D
= -2.2A
T
J
= 25°C, I
F
= -2.2A, V
DD
= -10V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= -2.2A, V
GS
= 0V
R
G
= 6.0
R
D
= 4.5
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -1.2A
V
GS
= -2.7V, I
D
= -0.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
GS
= -12V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
Conditions
= 1.0MHz
V
GS
= 0V
V
DS
= -15V
Conditions
V
R
= 5Vdc (100kHz to 1MHz) 25°C
Conditions
I
F
= 1.0A, T
J
= 25°C
I
F
= 2.0A, T
J
= 25°C
I
F
= 1.0A, T
J
= 125°C
I
F
= 2.0A, T
J
= 125°C
V
R
= 20V
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