參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7319PBF
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商： IRF7319PBF
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0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-4.9A
V
=-15V
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7321D2 FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7322D1PBF FETKY MOSFET / Schottky Diode
IRF7324D1PBF FETKY⑩MOSFET / Schottky Diode
IRF7325 HEXFET Power MOSFET
IRF7329 HEXFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7319TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, DUAL N/P-CHANNEL, 30V, 6.5A, SO-8
IRF7319TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
IRF7319TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF731FI 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB
IRF731R 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB
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