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參數(shù)資料
| 型號： | IRF730B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 400V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | IRF730B |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Avalanche energy rated
IRF730
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1ms
1s
0.001
0.01
0.1
1
PHP3N60
Zth j-mb, Transient thermal impedance (K/W)
D = 0.5
1us
10us
100us
tp, pulse width (s)
10ms
100ms
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0.2
0.05
0.02
single pulse
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
7 V
PHP5N40
10 V
VDS, Drain-Source voltage (Volts)
ID, Drain current (Amps)
Tj = 25 C
5 V
5.5 V
6 V
VGS = 4.5 V
6.5 V
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
PHP3N50
VDS, Drain-source voltage (Volts)
ID, Drain current (Amps)
100 us
1 ms
10 ms
RDSON =VDSID
DC
tp = 10 us
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
PHP5N40
Tj = 25 C
5 V
5.5 V
10 V
ID, Drain current (Amps)
RDS(on), Drain-Source on resistance (Ohms)
4.5 V
VGS = 6 V
7 V
6.5 V
March 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7434 | |
| IRF743FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF7475 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 11A I(D) | SO |
| IRF740AL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 |
| IRF740AS | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF730BPBF | 功能描述:MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF730CHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | CHIP |
| IRF730FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR |
| IRF730L | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF730PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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