型號: | IRF730ASTRR |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 5.5AI(四)|對263AB |
文件頁數(shù): | 1/10頁 |
文件大?。?/td> | 184K |
代理商: | IRF730ASTRR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF730CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | CHIP |
IRF730FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR |
IRF7314Q | -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
IRF7316S | |
IRF731FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF730ASTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF730B | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF730BPBF | 功能描述:MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF730CHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | CHIP |
IRF730FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR |