參數(shù)資料
型號： IRF7303QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 259K
代理商： IRF7303QPBF
www.irf.com
4
!" #
$
$
0
200
400
600
800
1000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 12
I = 2.4A
V = 24V
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7304QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7306PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7306QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7307PBF HEXFET POWER MOSFET
IRF7309IPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7303QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSET
IRF7303QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7303TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Dual N-Channel 30 V 2 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7303TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7303TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*