參數(shù)資料
型號： IRF7204
廠商： International Rectifier
英文描述： TRI N PLUG M 0-48 NO SEAL
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 20V的，的Rds（on）\u003d 0.060ohm，身份證\u003d- 5.3A）
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 145K
代理商： IRF7204
IRF7204
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
D
-
D
D
)
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage ( V )
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage ( V )
-V
GS
, Gate-to-Source Voltage ( V )
T
J
, Junction Temperature ( °C )
D
相關PDF資料
PDF描述
IRF7205PBF HEXFET Power MOSFET
IRF720SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 400V , RDS(on) = 1.8ヘ , ID = 3.3A )
IRF720STRR hexfet
IRF7220 HEXFET Power MOSFET
IRF7220PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7204TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7204TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7204TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7205 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8
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