參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6715MTRPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 258K
代理商： IRF6715MTRPBF
2
www.irf.com
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
25
–––
–––
–––
1.4
–––
–––
–––
–––
–––
135
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
17
1.3
2.1
1.9
-6.2
–––
–––
–––
–––
–––
40
12
5.3
12
11
17
26
1.1
20
31
16
12
5340
1280
600
Max. Units
–––
–––
1.6
2.7
2.4
–––
1.0
150
100
-100
–––
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Diode Characteristics
nC
See Fig. 15
nC
ns
pF
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Min.
Typ.
Max. Units
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
28
37
1.0
42
56
V
ns
nC
di/dt = 200A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 27A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 27A
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
GS
= 4.5V, I
D
= 27A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 27A
V
GS
= 0V
V
DS
= 13V
= 1.0MHz
I
D
= 27A
R
G
= 1.8
V
DD
= 13V, V
GS
= 4.5V
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 13V, I
D
= 27A
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 34A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
DS
= 13V
Conditions
See Fig. 17
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
270
–––
–––
98
A
–––
–––
MOSFET symbol
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6722MPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6722MTRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6722SPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6722STRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6725MPBF DirectFET Power MOSFET
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IRF6717MPBF 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET
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