參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6668TRBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 635K
代理商： IRF6668TRBF
www.irf.com
5
Fig 13.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
1000
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
TG
ID = 100μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
EA
ID
TOP
4.3A
7.6A
BOTTOM 23A
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
ID
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PDF描述
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