| 型號： |
IRF6614TR1 |
| 廠商： |
International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： |
9/10頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| 產(chǎn)品變化通告： |
(EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1,000 |
| 系列： |
HEXFET® |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
40V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
12.7A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
8.3 毫歐 @ 12.7A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
2.25V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
29nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
2560pF @ 20V
|
| 功率 - 最大： |
2.1W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
DirectFET? 等容 ST
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
DIRECTFET? ST
|
| 包裝： |
帶卷 (TR)
|