參數(shù)資料
型號(hào)： IRF640
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 18A, 200V, 0.180 Ohm,, N-Channel PowerMOSFET(18A, 200V, 0.180 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： IRF640
4-210
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Continuous Source to Drain Current
I
SD
I
SDM
Modified MOSFET
Symbol Showing the
Integral Reverse P-N
Junction Diode
-
-
18
A
Pulse Source to Drain Current
(Note 2)
-
-
72
A
Source to Drain Diode Voltage (Note 2)
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 18A, V
GS
= 0V, (Figure 13)
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 18A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 18A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
-
-
2.0
V
Reverse Recovery Time
120
240
530
ns
Reverse Recovery Charge
1.3
2.8
5.6
μ
C
NOTES:
2. Pulse Test: Pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
3. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance curve (Figure 3).
4. V
DD
= 50V, starting T
J
= 25
o
C, L = 3.37mH, R
G
= 25
,
peak I
AS
= 18A.
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
G
D
S
0
50
100
150
0
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
8
4
0
25
50
75
100
125
150
16
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
20
12
t
P
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
Z
θ
J
,
T
o
C
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-5
10
-4
10
0.01
0.1
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.001
1
SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0.5
IRF640, RF1S640SM
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PDF描述
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IRF640A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
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