- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360927 > IRF620R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF620R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 5A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | IRF620R |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF620S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.2A I(D) | TO-263AB |
| IRF637 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF640R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB |
| IRF642R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB |
| IRF647 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF620R4587 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF620S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF620SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF620STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF620STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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