參數(shù)資料
型號： IRF5803D2PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
中文描述： FETKY㈢MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： IRF5803D2PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
–––
–––
–––
–––
27
–––
34
Conditions
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Schottky Diode Maximum Ratings
Continuous Source Current(Body Diode) –––
Pulsed Source Current (Body Diode)
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time (Body Diode)
Reverse Recovery Charge
-2.0
-27
-1.2
40
50
V
ns
nC
T
J
= 25°C, I
S
= -2.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.0A
di/dt = 100A/μs
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Max. Units
3.0
Conditions
If (av)
Max. Average Forward Current
50% Duty Cycle. Rectangular Waveform, T
A
=30°C
See Fig.21
5μs sine or 3μs Rect. pulse
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
I
SM
Max. peak one cycle Non-repetitive
Surge current
340
70
Following any rated
with Vrrm applied
Parameter
Max. Units
0.51
0.63
0.44
0.59
40
3.0
37
405
Conditions
Vfm
Max. Forward Voltage Drop
If = 5.0A, Tj = 25°C
If = 10A, Tj = 25°C
If = 5.0A, Tj = 125°C
If = 10A, Tj = 125°C
Vrrm
Irm
Max. Working Peak Reverse Voltage
Max. Reverse Leakage Current
mA Vr = 40V
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-40
–––
–––
-0.03
–––
–––
–––
–––
-1.0
–––
4.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
25
–––
4.5
–––
3.5
–––
43
–––
550
–––
88
–––
50
–––
1110
–––
93
–––
73
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
112
190
-3.0
–––
-10
-25
-100
100
37
6.8
5.3
65
825
130
75
–––
–––
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -3.4A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -2.7A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -3.4A
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -3.4A
V
DS
= -20V
V
GS
= -10V, See Fig. 6 & 14
V
DD
= -20V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
V
GS
= -10V,
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 100kHz, See Fig. 5
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Ct
Max. Junction Capacitance
pF
Vr = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
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PDF描述
IRF6100PBF HEXFET Power MOSFET
IRF610PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF620PBF HEXFET Power MOSFET
IRF620SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A )
IRF6215LPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
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參數(shù)描述
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IRF5803D2TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
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IRF5803PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 40V 3.4A TSOP6
IRF5803TR 功能描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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