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參數資料
| 型號： | IRF550 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 先進的功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 261K |
| 代理商： | IRF550 |
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175
Operating Temperature
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 100V
Lower R
DS(ON)
: 0.032
(Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
JC
R
CS
R
JA
θ
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
Continuous Drain Current (T
C
=100
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
)
)
)
Characteristic
Value
100
40
28.3
160
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
A
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
θ
IRF550A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.04
I
D
= 40 A
640
40
16.7
6.5
167
1.11
- 55 to +175
300
0.9
--
62.5
--
0.5
--
2
0
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF550A | Advanced Power MOSFET |
| IRF610A | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為200V，導通電阻為1.5Ω，漏電流為3.3A）) |
| IRF610B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFS610B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRF610 | N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF550A | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF5800 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF5800_03 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET |
| IRF5800PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 4A TSOP6 |
| IRF5800TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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