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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF533 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | IRF533 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF533FI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF531 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF531FI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF131 | RES, 0805, 1%, .1W, THK, 47.5K |
| IRF132 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF533FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF533R | 制造商:HARRIS 制造商全稱:HARRIS 功能描述:N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF540 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF-540 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF540,127 | 功能描述:MOSFET RAIL IR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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