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參數(shù)資料
| 型號： | IRF532R |
| 廠商： | Harris Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET額定雪崩能量 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 180K |
| 代理商： | IRF532R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF533 | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF533R | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF131 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
| IRF132 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
| IRF531 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF533 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF533FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF533R | 制造商:HARRIS 制造商全稱:HARRIS 功能描述:N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF540 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF-540 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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