參數(shù)資料
型號(hào)： IRF530NSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大小： 283K
代理商： IRF530NSPBF
www.irf.com
9
ASSEMBLY
LOT CODE
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
THIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
EXAMPLE:
LINE C
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
PART NUMBER
PART NUMBER
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
YEAR 7 = 1997
P = PRODUCT (OPTIONAL)
A = ASSEMBLY SITE CODE
WEEK 19
DATE CODE
OR
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF530N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)
IRF530N 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF530S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
IRF540PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF540SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF530NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF530NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF530NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF530NSTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF530NSTRRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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