參數(shù)資料
型號(hào)： IRF530NS
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d0.11Ω的，身份證\u003d 17A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
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代理商： IRF530NS
IRF530NS/L
www.irf.com
5
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
+
-
V
DD
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
T , Case Temperature (°
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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